Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXTM40N30
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5953538

IXTM40N30

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXTM40N30
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    POWER MOSFET TO-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-204AE
  • Серія
    GigaMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    88 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300W (Tc)
  • Пакет / Корпус
    TO-204AE
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4600pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    300V
  • Детальний опис
    N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)
IXTM50N20

IXTM50N20

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTN120N25

IXTN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM11N80

IXTM11N80

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM35N30

IXTM35N30

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM12N100

IXTM12N100

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM5N100

IXTM5N100

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Опис: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM1316

IXTM1316

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM11P50

IXTM11P50

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM21N50L

IXTM21N50L

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM6N90A

IXTM6N90A

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM15N60

IXTM15N60

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM1712

IXTM1712

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM5N100A

IXTM5N100A

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Опис: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM67N10

IXTM67N10

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM1630

IXTM1630

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXTM9226

IXTM9226

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти