Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > 70V3579S4BC8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6043903Зображення 70V3579S4BC8IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4BC8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$57.33
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70V3579S4BC8
  • Виробник / марка
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    1.70V3579S4BC8.pdf
    2.70V3579S4BC8.pdf
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    256-CABGA (17x17)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    256-LBGA
  • Інші імена
    IDT70V3579S4BC8
    IDT70V3579S4BC8-ND
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    1.125Mb (32K x 36)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Номер базової частини
    IDT70V3579
  • Час доступу
    4.2ns

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "70V3579S4BC8".
70V3569S6BC

70V3569S6BC

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6DR

70V3569S6DR

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6BC8

70V3569S6BC8

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6BF8

70V3569S6BF8

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6BFG

70V3569S6BFG

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S5DRI

70V3569S5DRI

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BC

70V3579S4BC

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6BF

70V3569S6BF

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S5DR

70V3569S5DR

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.