Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > 70V3579S4DRG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5170627

70V3579S4DRG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70V3579S4DRG
  • Виробник / марка
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    70V3579S4DRG.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    208-PQFP (28x28)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    208-BFQFP
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    1.125Mb (32K x 36)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • Час доступу
    4.2ns

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "70V3579S4DRG".
70V3569S6DR

70V3569S6DR

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3569S6BFG

70V3569S6BFG

Опис: IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S4BC

70V3579S4BC

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.