Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP2M004A060CG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4681380

GP2M004A060CG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP2M004A060CG
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    86.2W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    545pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2L26

GP2L26

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти