Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP2M002A065CG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6002311

GP2M002A065CG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP2M002A065CG
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP2M002A065CG.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    52W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP2M002A065CG".
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2L26

GP2L26

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

Опис: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.