Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M011A050H
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
220244Зображення GP1M011A050HGlobal Power Technologies Group

GP1M011A050H

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M011A050H
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M011A050H.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    670 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    158W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Інші імена
    1560-1179-1
    1560-1179-1-ND
    1560-1179-5
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1423pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 11A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M011A050H".
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Опис: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Опис: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Опис: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Опис: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Опис: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Опис: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Опис: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Опис: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Опис: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.