Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M009A090N
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
517001Зображення GP1M009A090NGlobal Power Technologies Group

GP1M009A090N

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M009A090N
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M009A090N.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-3PN
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    312W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Інші імена
    1560-1174-1
    1560-1174-1-ND
    1560-1174-5
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2324pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    900V
  • Детальний опис
    N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Tc)

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M009A090N".
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Опис: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Опис: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Опис: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Опис: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Опис: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Опис: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.