Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дошки розвитку, комплекти, програмісти > Оціночні та демонстраційні щити та набори > SI570-PROG-EVB
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1289045Зображення SI570-PROG-EVBEnergy Micro (Silicon Labs)

SI570-PROG-EVB

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$68.75
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI570-PROG-EVB
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Використаний СК / Частина
    Si570
  • Тип
    Timing
  • Наданий вміст
    Board(s), Cable(s)
  • Серія
    -
  • Вторинні атрибути
    I²C Interface
  • Основні атрибути
    10MHz ~ 1.417GHz Frequency Range
  • Інші імена
    336-3018
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    3 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Функція
    Reconfigurable Oscillators
  • Вбудований
    Yes, MCU, 8-Bit
  • Детальний опис
    Si570 Reconfigurable Oscillators Timing Evaluation Board
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти