Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI5515CDC-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4562407Зображення SI5515CDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5515CDC-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.35
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI5515CDC-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI5515CDC-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    1206-8 ChipFET™
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    3.1W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Інші імена
    SI5515CDC-T1-E3-ND
    SI5515CDC-T1-E3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    632pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.3nC @ 5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)
  • Номер базової частини
    SI5515

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI5515CDC-T1-E3".
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

Опис: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.