Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI5855DC-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4220518Зображення SI5855DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5855DC-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI5855DC-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI5855DC-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    1206-8 ChipFET™
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.1W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Інші імена
    SI5855DC-T1-E3TR
    SI5855DCT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.7nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI5855DC-T1-E3".
SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

Опис: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.