Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJ872EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
944012Зображення SQJ872EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ872EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.44
10+
$1.278
100+
$1.01
500+
$0.783
1000+
$0.618
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ872EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHAN 150V
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQJ872EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    35.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    55W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    SQJ872EP-T1_GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1045pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    7.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    N-Channel 150V 24.5A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    24.5A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQJ872EP-T1_GE3".
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

Опис: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 24A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.