Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SQJ914EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1038072Зображення SQJ914EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ914EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.501
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ914EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQJ914EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Потужність - Макс
    27W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Інші імена
    SQJ914EP-T1_GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1110pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQJ914EP-T1_GE3".
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 150V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 24A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.