Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJ410EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1588906

SQJ410EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$1.111
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ410EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 10.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    83W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    6210pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Опис: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Опис: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти