Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJ414EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3195634Зображення SQJ414EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ414EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.94
10+
$0.821
100+
$0.633
500+
$0.469
1000+
$0.375
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ414EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQJ414EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8L
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    45W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SQJ414EP-T1_GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1110pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8L
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQJ414EP-T1_GE3".
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 200V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.