Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIUD403ED-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6480381Зображення SIUD403ED-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIUD403ED-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.07
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIUD403ED-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIUD403ED-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 0806
  • Серія
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.25W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 0806
  • Інші імена
    SIUD403ED-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    31pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIUD403ED-T1-GE3".
BUK7516-55A,127

BUK7516-55A,127

Опис: MOSFET N-CH 55V 65.7A TO220AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
FQD11P06TF

FQD11P06TF

Опис: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SPP11N80C3XKSA1

SPP11N80C3XKSA1

Опис: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
MCH3333A-TL-H

MCH3333A-TL-H

Опис: MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RSH065N06TB1

RSH065N06TB1

Опис: MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AO4419

AO4419

Опис: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
IXFC22N60P

IXFC22N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTR48P20P

IXTR48P20P

Опис: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IRF2805STRLPBF

IRF2805STRLPBF

Опис: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NVMFS6B05NWFT3G

NVMFS6B05NWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
BSS87E6327

BSS87E6327

Опис: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

Опис: MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IXTP1N80

IXTP1N80

Опис: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
AON6442

AON6442

Опис: MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
AOB2500L

AOB2500L

Опис: MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.