SI8457DB-T1-E1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності

$0.74

10+

$0.621

100+

$0.466

500+

$0.341

1000+

$0.264

Запит онлайн

Технічні характеристики

Номер частини

SI8457DB-T1-E1
Виробник / марка

Electro-Films (EFI) / Vishay
Кількість запасів

В наявності
Опис

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Без свинцю / RoHS відповідність
Технічні таблиці

SI8457DB-T1-E1.pdf
Модель ECAD
Vgs (th) (Макс.) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Макс)

±8V
Технологія

MOSFET (Metal Oxide)
Пакет пристрою постачальника

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Серія

TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3A, 4.5V
Розсіювання живлення (макс.)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Упаковка

Cut Tape (CT)
Пакет / Корпус

4-UFBGA
Інші імена

SI8457DB-T1-E1CT
Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу

Surface Mount
Рівень чутливості вологи (MSL)

1 (Unlimited)
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2900pF @ 6V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs

93nC @ 8V
Тип FET

P-Channel
Особливість FET

-
Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)

1.8V, 4.5V
Водовідведення до джерела напруги (Vdss)

12V
Детальний опис

P-Channel 12V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C

-

Пов'язані новини
Доставка
Оплата

Ми створили довгострокові партнерські стосунки з основними глобальними логістичними постачальниками, пропонуючи гнучкі та ефективні рішення для доставки, пристосовані до ваших унікальних потреб.Залежно від розміру, ваги та призначення вашого замовлення, ми вибираємо найбільш підходящий перевізник доставки.Ми також надаємо послуги з відстеження логістики в реальному часі, що дозволяє клієнтам зрозуміти місцезнаходження та статус їхніх товарів у будь-який час. Якщо у вас є конкретні міжнародні маршрути доставки або призначений експедитор, зверніться до нашої торгової команди-ми раді відповідати вашим вимогам.

Ми підтримуємо кілька методів оплати, включаючи кредитні картки, перекази проводів та інші варіанти та приймаємо більшість валют.Для замовлень, розміщених у доларах США, доступні додаткові варіанти оплати.Для отримання більш детальної інформації про методи та процедури оплати, будь ласка, зв'яжіться з нашою командою з продажу.

Далі - продукти, пов'язані з "SI8457DB-T1-E1".

SI8460AA-B-IS1

Опис: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)

В наявності

SI8457DB-T1-E1

Запит запиту

Довідкова ціна (у доларах США)

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Контрапункт: До 2024 року глобальн...

Чіп 2NM TSMC буде масовим виробницт...

Сильний попит на аналогові мікр...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Установа: Очікується, що самороз...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральний директор IBM поперед...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics оновлює ключову т...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальний напівпровідников...

Оберіть мову

Поточна мова