Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SIS932EDN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3293210Зображення SIS932EDN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS932EDN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.253
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS932EDN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIS932EDN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Інші імена
    SIS932EDN-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1000pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIS932EDN-T1-GE3".
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Опис: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.