Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SISA24DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
246381Зображення SISA24DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA24DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.409
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SISA24DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SISA24DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.4 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    52W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SISA24DN-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2650pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SISA24DN-T1-GE3".
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Опис: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Опис: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Опис: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.