Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIS822DNT-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1677980Зображення SIS822DNT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS822DNT-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
6000+
$0.127
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS822DNT-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
    SIS822DNT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    15.6W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    435pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIS822DNT-T1-GE3".
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Опис: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.