Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIS778DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2046683Зображення SIS778DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS778DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS778DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    52W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Робоча температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1390pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    42.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Body)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Опис: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти