Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIRA88DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2048329Зображення SIRA88DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA88DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.19
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIRA88DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIRA88DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    25W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIRA88DP-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    985pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 45.5A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    45.5A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIRA88DP-T1-GE3".
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRC16DP-T1-GE3

SIRC16DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.