Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIRA58ADP-T1-RE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6786697Зображення SIRA58ADP-T1-RE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA58ADP-T1-RE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.554
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIRA58ADP-T1-RE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIRA58ADP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIRA58ADP-T1-RE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3030pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    61nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32.3A (Ta), 109A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIRA58ADP-T1-RE3".
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.