Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIRA26DP-T1-RE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4212484Зображення SIRA26DP-T1-RE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA26DP-T1-RE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.308
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIRA26DP-T1-RE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIRA26DP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +16V, -12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    43.1W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIRA26DP-T1-RE3-ND
    SIRA26DP-T1-RE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    22 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2247pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 60A (Tc) 43.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIRA26DP-T1-RE3".
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.