Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIRA12DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3984181Зображення SIRA12DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA12DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.01
10+
$0.892
100+
$0.705
500+
$0.547
1000+
$0.432
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIRA12DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    4.5W (Ta), 31W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIRA12DP-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2070pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIRA12DP-T1-GE3".
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Опис: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.