Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR788DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3718110Зображення SIR788DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR788DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR788DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR788DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    SkyFET®, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR788DP-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2873pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Body)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR788DP-T1-GE3".
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.