Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR670DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3135375Зображення SIR670DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR670DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.587
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR670DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.SIR670DP-T1-GE3.pdf
    2.SIR670DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR670DP-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2815pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR670DP-T1-GE3".
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Опис: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.