Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHD7N60E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3806609Зображення SIHD7N60E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD7N60E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.31
10+
$2.087
100+
$1.677
500+
$1.304
1000+
$1.081
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHD7N60E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHD7N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    78W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    SIHD7N60EGE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    680pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHD7N60E-GE3".
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.