Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHD5N50D-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3690874Зображення SIHD5N50D-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD5N50D-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.22
10+
$1.08
100+
$0.854
500+
$0.662
1000+
$0.523
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHD5N50D-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHD5N50D-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252AA
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    104W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    SIHD5N50D-GE3CT
    SIHD5N50D-GE3CT-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    18 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    325pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHD5N50D-GE3".
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.