Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHF12N65E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
883299Зображення SIHF12N65E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHF12N65E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.94
10+
$2.657
100+
$2.135
500+
$1.66
1000+
$1.376
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHF12N65E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHF12N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220 Full Pack
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    33W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Інші імена
    SIHF12N65E-GE3CT
    SIHF12N65E-GE3CT-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1224pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHF12N65E-GE3".
SIHF15N60E-E3

SIHF15N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF16N50C-E3

SIHF16N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF15N65E-GE3

SIHF15N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 23A TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHF18N50D-E3

SIHF18N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.