Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7888DP-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4442096Зображення SI7888DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7888DP-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7888DP-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7888DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 12.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.8W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7888DP-T1-E3".
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.