Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI7872DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
368828Зображення SI7872DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7872DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7872DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7872DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.4W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Інші імена
    SI7872DP-T1-GE3TR
    SI7872DPT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6.4A
  • Номер базової частини
    SI7872

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7872DP-T1-GE3".
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7860DP-T1-GE3

SI7860DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.