Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI7901EDN-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
828694Зображення SI7901EDN-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7901EDN-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7901EDN-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7901EDN-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 800µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    1.3W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.3A

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7901EDN-T1-E3".
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7911DN-T1-E3

SI7911DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.