Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7664DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2251773Зображення SI7664DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7664DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7664DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7664DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    7770pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7664DP-T1-GE3".
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7661CSA+

SI7661CSA+

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7661CJ+

SI7661CJ+

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.