Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7686DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5414203Зображення SI7686DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7686DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.87
10+
$1.691
100+
$1.359
500+
$1.057
1000+
$0.876
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7686DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7686DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 37.9W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SI7686DP-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1220pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 37.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7686DP-T1-GE3".
SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Опис: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Виробники: Maxim Integrated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.