Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7100DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1288763Зображення SI7100DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7100DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7100DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Робоча температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    8V
  • Детальний опис
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7100DN-T1-GE3".
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Опис: SI7060 EVALUATION BOARD

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.