Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7106DN-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2086372Зображення SI7106DN-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7106DN-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.599
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7106DN-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7106DN-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.5W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SI7106DN-T1-E3TR
    SI7106DNT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7106DN-T1-E3".
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Опис: SI7060 EVALUATION BOARD

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Опис: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.