Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI5902BDC-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5836684Зображення SI5902BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5902BDC-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI5902BDC-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI5902BDC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    1206-8 ChipFET™
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Потужність - Макс
    3.12W
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Інші імена
    SI5902BDC-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    220pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Номер базової частини
    SI5902

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI5902BDC-T1-GE3".
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5904DC-T1-E3

SI5904DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.