Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI3477DV-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2663957Зображення SI3477DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3477DV-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.317
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI3477DV-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI3477DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Інші імена
    SI3477DV-T1-GE3TR
    SI3477DVT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2600pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI3477DV-T1-GE3".
SI3481DV-T1-E3

SI3481DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3483CDV-T1-E3

SI3483CDV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3481DV-T1-GE3

SI3481DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3482-A01-GMR

SI3482-A01-GMR

Опис: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3480-A01-GM

SI3480-A01-GM

Опис: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3480MS8-KIT

SI3480MS8-KIT

Опис: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3473DV-T1-GE3

SI3473DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3482-A01-GM

SI3482-A01-GM

Опис: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3483-A02-GMR

SI3483-A02-GMR

Опис: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3475DV-T1-GE3

SI3475DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3480-A01-GMR

SI3480-A01-GMR

Опис: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3483-A02-GM

SI3483-A02-GM

Опис: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.