Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMTH6004SCTBQ-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
418004Зображення DMTH6004SCTBQ-13Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.49
10+
$3.151
100+
$2.532
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMTH6004SCTBQ-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 100A TO263
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMTH6004SCTBQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263AB
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    4.7W (Ta), 136W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    DMTH6004SCTBQ-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMTH6004SCTBQ-13".
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Опис: MOSFET 60V 100A TO220-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Опис: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Опис: MOSFET 60V 90A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.