Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMTH6004LPS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1782830Зображення DMTH6004LPS-13Diodes Incorporated

DMTH6004LPS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.92
10+
$1.738
100+
$1.397
500+
$1.086
1000+
$0.90
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMTH6004LPS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMTH6004LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI5060-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.6W (Ta), 138W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    DMTH6004LPS-13DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4515pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    96.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta), 100A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMTH6004LPS-13".
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Опис: MOSFET 60V 90A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Опис: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Опис: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

Опис: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Опис: MOSFET 60V 100A TO220-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.