Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMTH6009LK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3044918Зображення DMTH6009LK3-13Diodes Incorporated

DMTH6009LK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.531
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMTH6009LK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 14.2A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMTH6009LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.2W (Ta), 60W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMTH6009LK3-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    14.2A (Ta), 59A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMTH6009LK3-13".
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Опис: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Опис: MOSFET 60V 90A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Опис: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.