Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3025LFG-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1842870Зображення DMN3025LFG-13Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.196
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3025LFG-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3025LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerWDFN
  • Інші імена
    DMN3025LFG-13DI
    DMN3025LFG-13DI-ND
    DMN3025LFG-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    605pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3025LFG-13".
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Опис: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Опис: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.