Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3026LVTQ-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4724022Зображення DMN3026LVTQ-13Diodes Incorporated

DMN3026LVTQ-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.171
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3026LVTQ-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3026LVTQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TSOT-26
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    643pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6.6A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3026LVTQ-13".
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Опис: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Опис: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.