Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3024LK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
114792Зображення DMN3024LK3-13Diodes Incorporated

DMN3024LK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3024LK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMN3024LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.17W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMN3024LK3-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    26 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 9.78A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.78A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3024LK3-13".
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Опис: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Опис: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.