Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN10H220L-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2925538Зображення DMN10H220L-13Diodes Incorporated

DMN10H220L-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.155
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN10H220L-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN10H220L-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.3W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN10H220L-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)
  • Номер базової частини
    DMN10H220

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN10H220L-13".
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Опис: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Опис: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Опис: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Опис: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Опис: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.