Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN10H170SK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1354219Зображення DMN10H170SK3-13Diodes Incorporated

DMN10H170SK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.25
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN10H170SK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN10H170SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    140 mOhm @ 5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    42W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMN10H170SK3-13DITR
    DMN10H170SK313
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN10H170SK3-13".
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Опис: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Опис: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.