Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG1012T-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3846349Зображення DMG1012T-7Diodes Incorporated

DMG1012T-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.36
10+
$0.326
100+
$0.182
500+
$0.098
1000+
$0.066
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG1012T-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMG1012T-7.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±6V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-523
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    280mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    SOT-523
  • Інші імена
    DMG1012T-7DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    630mA (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG1012T-7".
DMG1553-2

DMG1553-2

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1016V-7

DMG1016V-7

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1553-1

DMG1553-1

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1553-3

DMG1553-3

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

Опис: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7

Опис: MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Опис: MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013T-7

DMG1013T-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.