Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > DMG1016V-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1234555Зображення DMG1016V-7Diodes Incorporated

DMG1016V-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.114
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG1016V-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 20V SOT563
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMG1016V-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-563
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Потужність - Макс
    530mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    DMG1016V-7DITR
    DMG1016V7
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    870mA, 640mA
  • Номер базової частини
    DMG1016V

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG1016V-7".
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7

Опис: MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013T-7

DMG1013T-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1553-1

DMG1553-1

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

Опис: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1553-2

DMG1553-2

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Опис: MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1012T-7

DMG1012T-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1553-3

DMG1553-3

Опис: TRANSFORMER PBC

Виробники: Pulse Electronics Corporation
В наявності
RFQ
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.