Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > AS4C32M16D1-5TCNTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2687545Зображення AS4C32M16D1-5TCNTRAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5TCNTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C32M16D1-5TCNTR
  • Виробник / марка
    Alliance Memory, Inc.
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    AS4C32M16D1-5TCNTR.pdf
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR
  • Пакет пристрою постачальника
    66-TSOP II
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (32M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Часова частота
    200MHz
  • Час доступу
    700ps

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "AS4C32M16D1-5TCNTR".
AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M43D1A-5BINTR

AS4C2M43D1A-5BINTR

Опис: DDR SDRAM

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCNTR

AS4C32M16D1A-5TCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TCN

AS4C32M16D1-5TCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCN

AS4C32M16D1A-5TCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D2-25BCN

AS4C32M16D2-25BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D2-25BANTR

AS4C32M16D2-25BANTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TAN

AS4C32M16D1A-5TAN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TINTR

AS4C32M16D1A-5TINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-7TCN

AS4C2M32SA-7TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M43D1A-5BIN

AS4C2M43D1A-5BIN

Опис: DDR SDRAM

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TANTR

AS4C32M16D1A-5TANTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.