Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C32M16D1-5BCN
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
525019Зображення AS4C32M16D1-5BCNAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5BCN

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
240+
$3.377
480+
$3.364
720+
$3.24
1200+
$3.081
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C32M16D1-5BCN
  • Виробник / марка
    Alliance Memory, Inc.
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    AS4C32M16D1-5BCN.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR
  • Пакет пристрою постачальника
    60-BGA
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    60-TFBGA
  • Інші імена
    1450-1122
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (32M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-BGA
  • Часова частота
    200MHz
  • Час доступу
    700ps

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "AS4C32M16D1-5BCN".
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TCN

AS4C32M16D1-5TCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-7TCN

AS4C2M32SA-7TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-6TCN

AS4C2M32SA-6TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32S-7TCN

AS4C2M32S-7TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32S-7TCNTR

AS4C2M32S-7TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M43D1A-5BINTR

AS4C2M43D1A-5BINTR

Опис: DDR SDRAM

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5TCNTR

AS4C32M16D1-5TCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M43D1A-5BIN

AS4C2M43D1A-5BIN

Опис: DDR SDRAM

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCN

AS4C32M16D1A-5TCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-6TIN

AS4C2M32SA-6TIN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TANTR

AS4C32M16D1A-5TANTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C32M16D1A-5TAN

AS4C32M16D1A-5TAN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.